Vishay Intertechnologies SIS468DN-T1-GE3

工厂交货时间

28 Weeks

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Drain Current-Max (ID)

30 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PDSO-C5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0195 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

5 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

52 W