Vishay Intertechnologies SQJ479EP-T1_GE3

工厂交货时间

16 Weeks, 3 Days

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Date Of Intro

2016-07-19

Drain Current-Max (ID)

32 A

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.033 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

饱和电流

1