SQJ500AEP-T1_GE3
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Vishay Intertechnologies SQJ500AEP-T1_GE3

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型号

SQJ500AEP-T1_GE3

utmel 编号

2668-SQJ500AEP-T1_GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor,

起订量

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SQJ500AEP-T1_GE3
SQJ500AEP-T1_GE3 Vishay Intertechnologies Description: Power Field-Effect Transistor,

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SQJ500AEP-T1_GE3详情

Vishay Intertechnologies SQJ500AEP-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 材料

    Zinc alloy

  • 质量

    0.26 kg

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    2

  • Gross Weight

    171.00

  • Transport packaging size/quantity

    34*25*24/50

  • Operating ambient temperature

    -25 to +60 °C

  • Transducer type

    Threaded mounting element

  • Mounting hole size

    60

  • Purpose

    fastening element for connecting metal conduit of MP series to housing equipment

  • Protection class

    IP54

  • Sealing material

    Oil-resistant rubber

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    SO-8L, 4 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    30 A

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Turn-off Time-Max (toff)

    49 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    30 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    MB series entry coupling

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 深度

    55.6 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G4

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -25…+60 °C

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0092 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    120 A

  • DS 击穿电压-最小值

    40 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    35 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    48 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    111 pF

  • 直径

    (d1) - G 2"; through hole (D) - 62 mm; casing (D1) - 70 mm

  • 长度

    55.6 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SQJ500AEP-T1_GE3.

SQJ500AEP-T1_GE3拓展信息

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