Vishay Intertechnologies SQJB60EP-T1_GE3

工厂交货时间

26 Weeks, 4 Days

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

2

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Drain Current-Max (ID)

30 A

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.012 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

26.5 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR