Vishay Intertechnologies SUM110N06-3M9H-E3
- 收藏
- 对比
SUM110N06-3M9H-E3
2668-SUM110N06-3M9H-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Description: Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
--最小包装量--
SUM110N06-3M9H-E3详情
Vishay Intertechnologies SUM110N06-3M9H-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
CCA conductor/ PVC jacket
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
51.75
Transport packaging size/quantity
28*28*17/200
Characteristic
2 x (82 x 0.25 mm)
Cable type
2 x 4.0 acoustic cable
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
110 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
颜色
Shell - transparent, blue stripe on one conductor
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
注意
Indoors
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
Operating temperature range
-40…+65 °C
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.0039 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
440 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
245 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
375 W
饱和电流
1
宽度
8.4 mm
器件厚度
4.2 mm
Insulation thickness
Insulation - 0.8* mm
SUM110N06-3M9H-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies







哦! 它是空的。