SUM110N06-3M9H-E3
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Vishay Intertechnologies SUM110N06-3M9H-E3

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型号

SUM110N06-3M9H-E3

utmel 编号

2668-SUM110N06-3M9H-E3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN

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SUM110N06-3M9H-E3
SUM110N06-3M9H-E3 Vishay Intertechnologies Description: Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN

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SUM110N06-3M9H-E3详情

Vishay Intertechnologies SUM110N06-3M9H-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    CCA conductor/ PVC jacket

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Gross weight

    51.75

  • Transport packaging size/quantity

    28*28*17/200

  • Characteristic

    2 x (82 x 0.25 mm)

  • Cable type

    2 x 4.0 acoustic cable

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    110 A

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 颜色

    Shell - transparent, blue stripe on one conductor

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 注意

    Indoors

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -40…+65 °C

  • JEDEC-95代码

    TO-263AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0039 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    440 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    245 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    375 W

  • 饱和电流

    1

  • 宽度

    8.4 mm

  • 器件厚度

    4.2 mm

  • Insulation thickness

    Insulation - 0.8* mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SUM110N06-3M9H-E3.

SUM110N06-3M9H-E3拓展信息

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