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Vishay Semiconductors 2N7000

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型号

2N7000

utmel 编号

2668-2N7000

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN

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2N7000 Vishay Semiconductors Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN

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2N7000详情

Vishay Semiconductors 2N7000重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    GENERAL SEMICONDUCTOR INC

  • Part Package Code

    TO-92

  • Package Description

    PLASTIC, TO-92, 3 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    0.3 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    O-PBCY-W3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-226AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    5 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 饱和电流

    1

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技术文档: Vishay Semiconductors 2N7000.

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