类别是'category.存储卡' (4503)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

表面安装

引脚数

终端数量

包装

零件状态

ECCN 代码

类型

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

最大电源电压

最小电源电压

端口的数量

操作模式

组织结构

座位高度-最大

内存宽度

记忆密度

最高频率

锁相环

内存IC类型

刷新周期

访问模式

自我刷新

模块类型

长度

RoHS状态

TS8D30AR00LNS
TS8D30AR00LNS
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.425(V)

0C

DRAM模块

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

4G

64

1600

512Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

1320

0

85

Dual

UDIMM

Socket

30

133.35

240

1600(MHz)

85C

8GByte(b)

Commercial

UDIMM

0C to 85C

64(b)

1.575(V)

1.5(V)

Bulk

活跃

240

1Gx64

240UDIMM

符合RoHS标准

96SD-256M333NN-TR1
96SD-256M333NN-TR1
Advantech 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

No Lead

EAR99

DRAM模块

256Mbyte

8

256M

333

32Mx8

1.5

DIM

SODIMM

Socket

31.75

200

Obsolete

200

200SODIMM

供应商未确认

MT18JDF51272PDZ-1G6D1
MT18JDF51272PDZ-1G6D1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

18

2G

72

1600

256Mx8

1.425

1.5

1.575

1773

0

70

Commercial

Double

Dual

8

11

PC3-12800

DIM

VLP RDIMM

Socket

18.9(Max)

133.5(Max)

4(Max)

240

No Lead

EAR99

DRAM模块

4Gbyte

Obsolete

240

512Mx72

8K

240RDIMM

是,有豁免

KVR333X64SC25/256
KVR333X64SC25/256
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIM

SODIMM

Socket

31.75

67.6

3.8(Max)

200

No Lead

EAR99

DRAM模块

256Mbyte

8

256M

64

333

16Mx16

2.25

2.5

2.75

Double

4

2.5

Obsolete

200

32Mx64

200SODIMM

供应商未确认

M393A1G43EB1-CTD
M393A1G43EB1-CTD
Samsung Electronics 数据表

38 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.2

1.26

1435

Double

Dual

16

19

RDIMM

Socket

31.25

133.35

1.4 + 2.8(Max)

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

18

4G

72

2666

512Mx8

78FBGA

1.14

活跃

288

1Gx72

288RDIMM

KVR16R11D8/4HC
KVR16R11D8/4HC
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

256Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

0

85

Double

Dual

8

11

PC3-12800

DIM

RDIMM

Socket

30

133.35

240

No Lead

EAR99

DRAM模块

4Gbyte

18

2G

72

1600

Obsolete

240

512Mx72

240RDIMM

供应商未确认

M386A8K40CM2-CTD
M386A8K40CM2-CTD
Samsung Electronics 数据表

500 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16G

72

4Gx4

78FBGA

1.14

1.2

1.26

Extended

Double

Quad

16

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

64Gbyte

36

活跃

8Gx72

64

288LRDIMM

M393A4K40BB1-CTD8Q
M393A4K40BB1-CTD8Q
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Socket

31.25

133.35

4.3(Max)

288

Ball

EAR99

DRAM模块

32Gbyte

36

8G

72

2666

2Gx4

78FBGA

1.14

1.2

1.26

Dual

19

DIM

RDIMM

288

4Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

MT18JDF1G72PDZ-1G6D1
MT18JDF1G72PDZ-1G6D1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Socket

NO

240

240

DIM

VLP RDIMM

Socket

18.9(Max)

133.5(Max)

4(Max)

240

No Lead

8473300002

18

Compliant

DIMM,

微电子组件

1000000000

UNSPECIFIED

未说明

70 °C

MT18JDF1G72PDZ-1G6D1

1073741824 words

1.5 V

DIMM

RECTANGULAR

Micron Technology Inc

Obsolete

MICRON TECHNOLOGY INC

5.66

DIMM

EAR99

DRAM模块

8Gbyte

18

4G

72

1600

512Mx8

1.425

1.5

1.575

1863

0

70

Commercial

Double

Dual

8

11

PC3-12800

Obsolete

EAR99

70 °C

0 °C

AUTO/SELF REFRESH

8542.32.00.36

CMOS

DUAL

无铅

未说明

1

1 mm

unknown

240

R-XDMA-N240

1.5 V

1.575 V

COMMERCIAL

1.425 V

1.575 V

1.425 V

1

SYNCHRONOUS

1Gx72

18.9 mm

72

77309411328 bit

1.6 GHz

DDR内存模块

8K

双库页面突发

240RDIMM

133.35 mm

是,有豁免

MT8VDDT3264AY-40BGB
MT8VDDT3264AY-40BGB
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1600

0

70

Commercial

Single

3

DIM

UDIMM

Socket

28.7(Max)

133.5(Max)

3.18(Max)

184

No Lead

EAR99

DRAM模块

256Mbyte

8

256M

64

400

32Mx8

2.5

2.6

2.7

Tray

Obsolete

184

32Mx64

184UDIMM

是,有豁免

M470T2864EH3-CE600
M470T2864EH3-CE600
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

1Gbyte

8

1G

64

0.45

667

64Mx16

FBGA

1.7

1.8

1.9

428

0

95

Commercial

Double

Dual

8

5

DIM

USODIMM

Socket

30

67.6

3.8(Max)

200

No Lead

Obsolete

200

128Mx64

200SODIMM

符合RoHS标准

SEN02G64C4BH2MT-25R
SEN02G64C4BH2MT-25R
Swissbit 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

2Gbyte

16

1G

64

0.4

800

128Mx8

FBGA

1.7

1.8

1.9

1336

0

70

Double

Dual

8

6

PC2-6400

DIM

SODIMM

Socket

30

67.6

3.8(Max)

200

No Lead

Obsolete

200

256Mx64

8K

200SODIMM

符合RoHS标准

TS2GKR72W6Z
TS2GKR72W6Z
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIM

RDIMM

Socket

240

No Lead

EAR99

DRAM模块

16Gbyte

36

4G

72

1600

1Gx4

Dual

11

Obsolete

240

2Gx72

240RDIMM

符合RoHS标准

KSM26RD8/16MEI
KSM26RD8/16MEI
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Dual

19

RDIMM

Socket

31.25

133.35

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

16Gbyte

18

8G

72

2666

1Gx8

FBGA

1.2

1629

0

85

Double

Obsolete

288

2Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

KSM26RD4/32MEI
KSM26RD4/32MEI
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

31.25

133.35

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

32Gbyte

36

8G

72

2666

2Gx4

FBGA

1.2

2808

0

85

Dual

19

RDIMM

Socket

Obsolete

288

4Gx72

288DIMM

符合RoHS标准

KVR13LR9S8L/2HC
KVR13LR9S8L/2HC
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

256Mx8

FBGA

1.28/1.425

1.35/1.5

1.45/1.575

0

85

Double

Single

8

9

PC3-10600

DIM

VLP RDIMM

Socket

18.75

133.35

240

No Lead

EAR99

DRAM模块

2Gbyte

9

2G

72

1333

Obsolete

240

256Mx72

240RDIMM

供应商未确认

WEDPN16M64V-133B2M
WEDPN16M64V-133B2M
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3

3.3

3.6

540

-55

125

Military

Single

4

3|2

PBGA

表面贴装

2.03(Max)

21.1(Max)

21.1(Max)

219

1Gbit

DRAM模块

4A994.a

4

256M

64

6|5.5

133

16Mx16

PBGA

Unconfirmed

219

16Mx64

8K

供应商未确认

M471B5173DB0-YK000
M471B5173DB0-YK000
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

0

85

Commercial

Double

Single

11

DIM

USODIMM

Socket

30

67.6

3.8(Max)

204

No Lead

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

4Gbyte

8

4G

64

1600

512Mx8

FBGA

1.35

Obsolete

204

512Mx64

204USODIMM

符合RoHS标准

M378A5143EB2-CRC00
M378A5143EB2-CRC00
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

UDIMM

Socket

31.25

133.35

2.7(Max)

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

4Gbyte

8

4G

64

2400

512Mx8

78FBGA

1.14

1.2

1.26

720

Single

17

Obsolete

288

512Mx64

288UDIMM

WF512K32N-70H1I5A
WF512K32N-70H1I5A
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

HIP

通孔

3.71(Max)

27.3

27.3

66

4A994.a

闪存模块

16Mbit

4

4M

32

70

512Kx8

HIP

4.5

5

5.5

190

-40

85

Industrial

Obsolete

66

512Kx32

供应商未确认

M393A4K40CB1-CRC0Q
M393A4K40CB1-CRC0Q
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.2

1.26

2049

Double

Dual

16

17

RDIMM

Socket

31.25

133.35

1.4 + 2.8(Max)

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

32Gbyte

36

8G

72

1200

2Gx4

78FBGA

1.14

活跃

288

4Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

TS16FCFSAR00ISI
TS16FCFSAR00ISI
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

CompactFlash

8523.80.20.00

EAR99

50

85C

Industrial

3.63/5.5(V)

3.3/5(V)

2.97/4.5(V)

-40C

36.4

42.8

3.93

Socket

Industrial

85

-40

3.63|5.5

5|3.3

4.5|2.97

IDE/PCMCIA

16G

Bulk

活跃

CompactFlash

50

符合RoHS标准

M471A1G43DB0-CPB0
M471A1G43DB0-CPB0
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

USODIMM

Socket

30

69.6

3.7(Max)

260

EAR99

8542.32.00.71

DRAM模块

8Gbyte

16

4G

64

2133

512Mx8

78FBGA

1.14

1.2

1.26

890

Dual

15

Obsolete

260

1Gx64

260USODIMM

符合RoHS标准

SDSDJ-2048-814
SDSDJ-2048-814
Western Digital 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

-25

85

SD

SD

Socket

2.1

32

24

9

EAR99

SD卡

2G

SD/SPI

2.7

3.3

3.6

Obsolete

9

符合RoHS标准

M471B5773DH0-CH900
M471B5773DH0-CH900
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4A994.a

8542.32.00.71

DRAM模块

2Gbyte

8

2G

64

0.255

1333

256Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

640

0

95

Double

Single

8

9

DIM

USODIMM

Socket

30

67.6

3.8(Max)

204

No Lead

Compliant

Obsolete

204

256Mx64

204USODIMM

符合RoHS标准