类别是'category.存储卡' (4503)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

表面安装

质量

终端数量

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

电源电压

端子间距

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

电源电压-最大值(Vsup)

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

配置

电压

内存大小

端口的数量

速度

操作模式

uPs/uCs/外围ICs类型

组织结构

座位高度-最大

内存宽度

密度

记忆密度

锁相环

外部数据总线宽度

内存IC类型

电容量

访问模式

特征

自我刷新

主机数据传输速率-最大

驱动接口标准

主机接口标准

模块类型

座位高度(最大)

长度

宽度

RoHS状态

M386A8K40BM1-CPB
M386A8K40BM1-CPB
Samsung Electronics 数据表

500 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

288

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

64Gbyte

36

16G

72

2133

4Gx4

FBGA

1.2

0

85

Commercial

16

15

DIMM,

微电子组件

8000000000

UNSPECIFIED

未说明

M386A8K40BM1-CPB

8589934592 words

1.2 V

DIMM

RECTANGULAR

三星半导体

Obsolete

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.82

LTB

EAR99

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

未说明

1

0.85 mm

compliant

R-XDMA-N288

1.26 V

1.14 V

1

SYNCHRONOUS

8Gx72

31.4 mm

72

618475290624 bit

DDR内存模块

四库页面突发

YES

288RDIMM

133.35 mm

3.9 mm

符合RoHS标准

M393B1G70EB0-YK0
M393B1G70EB0-YK0
Samsung Electronics 数据表

500 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8Gbyte

18

4G

72

1600

1Gx4

1.283/1.425

1.35/1.5

1.45/1.575

3960

0

95

Double

Single

8

11

RDIMM

Socket

30

133.35

4(Max)

240

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

活跃

240

1Gx72

240RDIMM

符合RoHS标准

M378A1G43DB0-CPB
M378A1G43DB0-CPB
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2133

512Mx8

1.14

1.2

1.26

920

Double

Dual

15

DIM

UDIMM

Socket

31.25

133.35

3.9(Max)

288

No Lead

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

16

4G

64

Obsolete

288

1Gx64

288UDIMM

符合RoHS标准

M393B5273DH0-CK0
M393B5273DH0-CK0
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4A994.a

DRAM模块

4Gbyte

18

2G

72

0.225

1600

256Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

1765

0

95

Double

Dual

8

11

DIMM

RDIMM

Socket

30

133.35

4(Max)

240

No Lead

Obsolete

240

512Mx72

240DIMM

符合RoHS标准

M393A2K40CB1-CRC
M393A2K40CB1-CRC
Samsung Electronics 数据表

3 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

288

1.4 + 2.8(Max)

288

DIMM,

微电子组件

2000000000

UNSPECIFIED

95 °C

M393A2K40CB1-CRC

2147483648 words

1.2 V

DIMM

RECTANGULAR

三星半导体

活跃

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.7

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

16Gbyte

18

8G

72

1200

2Gx4

78FBGA

1.14

1.2

1.26

1613

Double

Single

16

17

RDIMM

Socket

31.25

133.35

活跃

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

1

0.85 mm

compliant

288

R-XDMA-N288

1.26 V

OTHER

1.14 V

1

SYNCHRONOUS

2Gx72

31.4 mm

72

154618822656 bit

DDR内存模块

单库页面突发

288RDIMM

133.35 mm

4.3 mm

符合RoHS标准

AP-CF004GR9NS-ETNRA
AP-CF004GR9NS-ETNRA
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

FLASH Card

-40°C~85°C

2013

CFC 5

不用于新设计

1 (Unlimited)

4GB

ROHS3 Compliant

M393B5273DH0-CH9
M393B5273DH0-CH9
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4A994.a

DRAM模块

4Gbyte

18

2G

72

0.255

1333

256Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

1580

0

95

Double

Dual

8

9

DIMM

RDIMM

Socket

30

133.35

4(Max)

240

No Lead

Obsolete

240

512Mx72

240DIMM

符合RoHS标准

M391A2K43BB1-CRC
M391A2K43BB1-CRC
Samsung Electronics 数据表

462 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

288

133.35

3.9(Max)

288

DIMM,

微电子组件

2000000000

UNSPECIFIED

M391A2K43BB1-CRC

2147483648 words

1.2 V

DIMM

RECTANGULAR

三星半导体

活跃

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.73

EAR99

8473.30.51.00

DRAM模块

16Gbyte

18

8G

72

2400

1Gx8

78FBGA

1.14

1.2

1.26

1224

Double

Dual

16

17

DIM

UDIMM

Socket

31.25

活跃

EAR99

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

1

0.85 mm

compliant

288

R-XDMA-N288

1.26 V

1.14 V

1

SYNCHRONOUS

2Gx72

31.4 mm

72

154618822656 bit

DDR内存模块

双库页面突发

288UDIMM

133.35 mm

3.9 mm

符合RoHS标准

M470T2864QZ3-CF700
M470T2864QZ3-CF700
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

200

No Lead

4A994.a

8542.32.00.24

DRAM模块

1Gbyte

8

1G

64

0.4

800

64Mx16

FBGA

1.7

1.8

1.9

840

0

95

Commercial

Double

Dual

8

6

DIM

USODIMM

Socket

30

67.6

3.8(Max)

Tray

Obsolete

200

128Mx64

200USODIMM

符合RoHS标准

M386B4G70DM0-CMA
M386B4G70DM0-CMA
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

78FBGA

1.5

0

85

Commercial

Double

Quad

13

LRDIMM

Socket

30.35

133.35

4.8(Max)

240

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

32Gbyte

36

8G

72

1866

2Gx4

Obsolete

240

4Gx72

240LRDIMM

SFSD4096N3BM1TO-I-GE-2CP-STD
SFSD4096N3BM1TO-I-GE-2CP-STD
Swissbit 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20 Weeks

microSDHC™

-40°C~85°C

S-46u

不用于新设计

1 (Unlimited)

4GB

Class 10, UHS Class 1

ROHS3 Compliant

AP-ISD016GCA-1HTM
AP-ISD016GCA-1HTM
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

SD™

-25°C~85°C

2016

活跃

16GB

Class 10, UHS Class 1

ROHS3 Compliant

SFCF1024H1BK1TO-I-MS-553-SMA
SFCF1024H1BK1TO-I-MS-553-SMA
Swissbit 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20 Weeks

YES

CompactFlash®

-40°C~85°C

2015

C-300

不用于新设计

1 (Unlimited)

50

ALSO OPRATES AT 5V

8542.31.00.01

UPPER

无铅

3.3V

R-XUUC-N50

3.63V

2.97V

1GB

SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE

16

66 MBps

IDE

ATA; PCMCIA; PC-AT

4.1mm

42.8mm

36.4mm

ROHS3 Compliant

KVR16N11S6/2
KVR16N11S6/2
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

2Gbyte

4

4G

64

1600

256Mx16

FBGA

1.425

1.5

1.575

0

85

Single

Single

11

PC3-12800

DIM

DIMM

Socket

30

133.35

240

No Lead

2GB

2GB

ValueRAM

活跃

ValueRAM

240

240-pin DIMM

256Mx64

Unbuffered,Single Rank

240DIMM

是,有豁免

SFCA030GH3AA2TO-C-LB-22P-STD
SFCA030GH3AA2TO-C-LB-22P-STD
Swissbit 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

CFast

0°C~70°C

F-66

活跃

不适用

30GB

ROHS3 Compliant

AP-ISD032GCA-1HTM
AP-ISD032GCA-1HTM
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

SD™

-25°C~85°C

2016

活跃

不适用

32GB

Class 10, UHS Class 1

ROHS3 Compliant

RP-SDMF08DA1
RP-SDMF08DA1
Panasonic Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

SDHC™

-25°C~85°C

2014

MF

Obsolete

1 (Unlimited)

85°C

-25°C

8GB

Class 4

符合RoHS标准

RP-SMLF64DA1
RP-SMLF64DA1
Panasonic Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

13 Weeks

microSDHC™

-25°C~85°C

2017

LF

Obsolete

1 (Unlimited)

64GB

Class 10, UHS Class 1

M386A8K40BM1-CRC
M386A8K40BM1-CRC
Samsung Electronics 数据表

2962 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

288

LRDIMM

Socket

288

2400(MHz)

95C

64GBYTE(b)

Commercial

LRDIMM

0C to 85C

36

72(b)

1.2(V)

0C

DRAM模块

DIMM,

微电子组件

8000000000

UNSPECIFIED

M386A8K40BM1-CRC

8589934592 words

1.2 V

DIMM

RECTANGULAR

三星半导体

Obsolete

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.81

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

64Gbyte

36

16G

72

2400

4Gx4

FBGA

1.2

0

95

Commercial

Quad

16

15

LTB

EAR99

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

1

0.85 mm

compliant

288

R-XDMA-N288

1.26 V

1.14 V

1

SYNCHRONOUS

8Gx72

31.4 mm

72

618475290624 bit

DDR内存模块

四库页面突发

YES

288RDIMM

133.35 mm

3.9 mm

是,有豁免

KVR13S9S8/4
KVR13S9S8/4
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks, 2 Days

NO

204

DIMM

SODIMM

Socket

30

67.6

204

No Lead

DIMM,

微电子组件

512000000

UNSPECIFIED

85 °C

KVR13S9S8/4

536870912 words

1.5 V

DIMM

RECTANGULAR

Kingston Technology Company

接触制造商

KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY INC

5.16

EAR99

8542.32.00.24

DRAM模块

4Gbyte

8

4G

64

1333

512Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

0

85

Double

Single

8

9

PC3-10600

LTB

PROGRAMMABLE CAS LATENCY; SEATED HGT-NOM

CMOS

DUAL

无铅

1

unknown

204

R-XDMA-N204

1.575 V

OTHER

1.425 V

1

SYNCHRONOUS

512Mx64

30 mm

64

4

DDR内存模块

多库页面突发

204SODIMM

67.6 mm

是,有豁免

KVR16LN11/4
KVR16LN11/4
Kingston Technology 数据表

31 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks, 2 Days

NO

0.10

240

DIM

DIMM

Socket

30

133.35

240

No Lead

4GB

4GB

ValueRAM

240

DIMM,

微电子组件

512000000

UNSPECIFIED

85 °C

KVR16LN11/4

536870912 words

1.35 V

DIMM

RECTANGULAR

Kingston Technology Company

接触制造商

KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY INC

5.68

DIMM

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

4Gbyte

8

4G

64

1600

512Mx8

FBGA

1.28/1.425

1.35/1.5

1.45/1.575

0

85

Single

Single

11

PC3-12800

e4

活跃

EAR99

ValueRAM

GOLD

PROGRAMMABLE CAS LATENCY; SEATED HGT-NOM

8473.30.11.40

CMOS

DUAL

无铅

1

unknown

240

R-XDMA-N240

1.45 V

OTHER

1.28 V

240-pin DIMM

1.35 V, 1.5 V

1

1600MHz

SYNCHRONOUS

512Mx64

30 mm

64

34359738368 bit

DDR内存模块

4 GB

多库页面突发

Unbuffered

240DIMM

133.35 mm

是,有豁免

SFCF0512H1BK1TO-I-MS-553-SMA
SFCF0512H1BK1TO-I-MS-553-SMA
Swissbit 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20 Weeks

YES

CompactFlash®

-40°C~85°C

2015

C-300

不用于新设计

1 (Unlimited)

50

ALSO OPRATES AT 5V

8542.31.00.01

UPPER

无铅

3.3V

R-XUUC-N50

3.63V

2.97V

512MB

SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE

16

66 MBps

IDE

ATA; PCMCIA; PC-AT

4.1mm

42.8mm

36.4mm

ROHS3 Compliant

KVR1333D3E9S/4G
KVR1333D3E9S/4G
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DRAM模块

4Gbyte

18

2G

72

1333

256Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

0

85

Double

Dual

8

9

PC3-10600

DIM

DIMM

Socket

30

133.35

240

No Lead

EAR99

Obsolete

240

512Mx72

240DIMM

供应商未确认

SQF-P10S2-4G-P8C
SQF-P10S2-4G-P8C
Advantech Corp 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

13 Weeks

Socket

CompactFlash®

0°C~70°C

2013

活跃

1 (Unlimited)

70°C

0°C

4GB

32 Gb

ROHS3 Compliant

2988793
2988793
Phoenix Contact 数据表

2440 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

CompactFlash®

2013

活跃

1 (Unlimited)

256MB

符合RoHS标准