类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 二极管类型 | 功率耗散 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 相位的数量 | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | JEDEC-95代码 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 隔离电压 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IXA27IF1200HJ | IXYS | 数据表 | 242 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | ISOPLUS247™ | 3 | SILICON | 1.8V | 1.2kV | 1 | -40°C~150°C TJ | 2013 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 锡银铜 | 150W | 3 | Single | 150W | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 43A | 100μA | TO-247AD | 1200V | 110 ns | 2.1V @ 15V, 25A | 350 ns | PT | 无 | 20V | 6.5V | 21.34mm | 16.13mm | 5.21mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD800R17HP4KB2BOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 913 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 24 Weeks | 底座安装 | Module | 800A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 单斩波器 | 5200W | 不含卤素 | Standard | 5mA | 1700V | 2.25V @ 15V, 800A | 无 | 65nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF1000R17IE4DB2BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 796 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | 底座安装 | Module | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | Single | 6250W | 不含卤素 | Standard | 5mA | 1700V | 2.45V @ 15V, 1000A | 有 | 81nF @ 25V | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FD400R33KF2CKNOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 34 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | 130 | SILICON | 660A | 1 | -40°C~125°C | 2015 | 最后一次购买 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X7 | 单斩波器 | ISOLATED | 4800W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 3.3kV | 5mA | 3300V | 480 ns | 4.25V @ 15V, 400A | 1900 ns | 无 | 50nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1800R17HP4B9HOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 858 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1800A | 3 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 9 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X9 | 单开关 | ISOLATED | 11500W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1700V | 900 ns | 2.25V @ 15V, 1800A | 1860 ns | Trench | 无 | 145nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FZ1600R17KF6CB2S1NOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-IHMB130-2-1 | Infineon Technologies | 1600 A | Bulk | 活跃 | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | 单开关 | 10500 W | Standard | 5 mA | 1700 V | 2.25V @ 15V, 1.6kA | 沟渠现场停车 | 无 | 130 nF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS500R17OE4DPBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 743 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1000A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 29 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X29 | 全桥 | ISOLATED | 20mW | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1700V | 330 ns | 2.3V @ 15V, 500A | 1080 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 40nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS450R17OE4PBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2069 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 52 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 900A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | EconoPACK™+ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X29 | 全桥 | ISOLATED | 20mW | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1700V | 310 ns | 2.3V @ 15V, 450A | 1100 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 36nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD300R12KS4B5HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2436 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 5 | 370A | -40°C~125°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 单斩波器 | Single | 1950W | 不含卤素 | Standard | 1.2kV | 300A | 5mA | 1200V | 3.75V @ 15V, 300A | 无 | 20nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS150R17N3E4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2923 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | 150A | 1 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 835W | 不含卤素 | Standard | 1mA | 1700V | 835W | 2.3V @ 15V, 150A | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 13.5nF @ 25V | 2.3 V | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP150R07N3E4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2252 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 150A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 43 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 43 | R-XUFM-X43 | 三相逆变器 | ISOLATED | 430W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 650V | 180 ns | 1.95V @ 15V, 150A | 450 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 9.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD1000R17IE4DB2BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | 1390A | -40°C~150°C | 2002 | PrimePACK™3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | Single | 6250W | 不含卤素 | Standard | 5mA | 1700V | 2.45V @ 15V, 1000A | 有 | 81nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT400U170D4G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D4-5 | NO | 4 | D4 | 4 | SILICON | Details | 1.7 kV | 2.08 kW | 2 V | 800 A | - 40 C | + 125 C | 400 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | 12.345887 oz | 微芯片技术 | Bulk | 800 A | APTGT400 | 活跃 | 1.7 kV | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 400 ns | 1200 ns | 未说明 | 150 °C | 有 | APTGT400U170D4G | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.23 | - | Bulk | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 150 °C | -40 °C | 雪崩 额定 | 2.08 kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 4 | R-XUFM-X4 | 不合格 | Single | Single | 2.08 | ISOLATED | 2080 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.7 kV | 800 A | 1 mA | 1700 V | 33 nF | 2080 W | 2.4V @ 15V, 400A | 800 A | 800 | 沟渠现场停车 | 1700 V | 无 | 20 V | 33 nF @ 25 V | 2.4 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||
FF150R12KE3B8BDLA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-62MM | Infineon Technologies | 225 A | Bulk | 活跃 | -40°C ~ 125°C (TJ) | - | 半桥 | 1250 W | Standard | 5 mA | 1200 V | 3.7V @ 15V, 150A | - | 无 | 11 nF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYM300B170DN2HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 6 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | 底座安装 | Module | 3 | SILICON | 40A | 2 | -40°C~150°C TJ | 2002 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | GENERAL PURPOSE | 8541.10.00.80 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 3 | 不合格 | 2 Independent | Single | 接收电极 | ISOLATED | 20mW | 不含卤素 | Standard | 1.7kV | 1 | 300A | 40μA | 650V | 1.55V @ 15V, 25A | 沟渠现场停车 | 有 | 2.8nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ2400R17KE3NOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | Module | 7 | 2002 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | 125°C | -40°C | 7 | Dual | 不含卤素 | 1.7kV | 3.2kA | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FPF2G120BF07ASP | ON Semiconductor | 数据表 | 90 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 46 Weeks | 通孔 | 通孔 | Module | 17 | 45g | 650V | -40°C~150°C TJ | 2014 | yes | 最后一次购买 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 8542.39.00.01 | 156W | 未说明 | 未说明 | 3 Independent | 156W | Standard | 2.2V | 40A | 250μA | 2.5kV | 2.2V @ 15V, 40A | 场站 | 有 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS200R07N3E4R_B11 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | Module | 35 | 6 | no | 35 | EAR99 | 150°C | -40°C | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | COMPLEX | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | 650V | 200A | 600W | 210 ns | 450 ns | 20V | 1.95 V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS225R17KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 638 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | 底座安装 | Module | 29 | SILICON | 2V | 1.7kV | 6 | -40°C~125°C | EconoPACK™+ | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 29 | 不合格 | 三相逆变器 | 1.4kW | ISOLATED | 1400W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 340A | 3mA | 1700V | 375 ns | 2.45V @ 15V, 225A | 1300 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS100R17N3E4B11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 50 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | 100A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 600W | 不含卤素 | Standard | 1mA | 1700V | 2.3V @ 15V, 100A | 沟渠现场停车 | 有 | 9nF @ 25V | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 336 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 45A | 4 | -40°C~150°C | 2002 | EasyPACK™ 1B | 活跃 | 1 (Unlimited) | 21 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X21 | 单斩波器 | ISOLATED | 275W | GENERAL PURPOSE | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 42 ns | 1.7V @ 15V, 30A | 385 ns | 有 | 4.4nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS225R17KE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | 底座安装 | Module | 29 | SILICON | 6 | -40°C~150°C | 2002 | EconoPACK™+ | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 29 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 1500W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 340A | 3mA | 1700V | 350 ns | 2.3V @ 15V, 225A | 1500 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 18.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF300R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 762 | SILICON | 2 | -40°C~125°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X7 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1450W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 480A | 5mA | 1200V | 215 ns | 2.15V @ 15V, 300A | 680 ns | 无 | 21nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF50DH120T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3-32 | 16 | SP3 | 3.2 V | 70 A | 100 nA | 微芯片技术 | Obsolete | 1.2 kV | Details | 1200 V | 312 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | SMD/SMT | 50 | Bulk | 70 A | - | - | 150 °C | -40 °C | 312 W | 不对称桥 | Dual | 312 W | Standard | 1.2 kV | 70 A | 250 µA | 1200 V | 3.45 nF | 3.7V @ 15V, 50A | NPT | 有 | 3.45 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FD400R16KF4 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | - | Infineon Technologies | Bulk | 400 A | 活跃 | 150°C (TJ) | - | 单斩波器 | 3.1 kW | Standard | 3 mA | 1600 V | 3.7V @ 15V, 400A | - | 无 | 65 nF @ 25 V |
IXA27IF1200HJ
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
111.790631
FD800R17HP4KB2BOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
5,953.464711
DF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
3,950.036840
FD400R33KF2CKNOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ1800R17HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
6,506.507452
FZ1600R17KF6CB2S1NOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS500R17OE4DPBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
4,081.744574
FS450R17OE4PBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
3,883.383781
FD300R12KS4B5HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
950.946447
FS150R17N3E4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
938.014863
FP150R07N3E4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
944.326155
FD1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT400U170D4G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF150R12KE3B8BDLA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
BYM300B170DN2HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ2400R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FPF2G120BF07ASP
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
340.294850
FS200R07N3E4R_B11
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS225R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
4,172.524531
FS100R17N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
754.393260
F3L75R12W1H3B11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
229.305168
FS225R17KE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF300R12KT3EHOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGF50DH120T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FD400R16KF4
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
