类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

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对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

供应商器件包装

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

厂商

操作温度

包装

系列

类型

子类别

技术

引脚数量

配置

功率耗散

输出电流

功率 - 最大

上升时间

输入

产品类别

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

连续集电极电流

IGBT类型

NTC热敏电阻

输入电容(Cies)@Vce

产品

产品类别

高度

长度

宽度

FP75R12N2T7PB11BPSA1
FP75R12N2T7PB11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2B

1.55V

75 A

Infineon Technologies

Tray

活跃

75 A

20V

1200 V

-

+ 175 C

- 40 C

10

PCB 安装

FP75R12N2T7P_B11 SP005595812

Infineon

Infineon Technologies

1200 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

Si

三相逆变器

-

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

14 μA

1200 V

1.8V @ 15V, 75A

75A

沟渠现场停车

有

15.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FP200R12N3T7B11BPSA1
FP200R12N3T7B11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO3

1.55V

200 A

Infineon Technologies

Tray

活跃

200 A

20V

1200 V

-

+ 175 C

- 40 C

10

PCB 安装

FP200R12N3T7_B11 SP005612514

Infineon

Infineon Technologies

1200 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

Si

三相逆变器

-

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

20 μA

1200 V

1.55V @ 15V, 200A

200A

沟渠现场停车

有

40.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FMM7G30US60N
FMM7G30US60N
Fairchild Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

Module

-

Fairchild Semiconductor

Bulk

Obsolete

30 A

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

带制动器的三相逆变器

104 W

三相桥式整流器

250 μA

600 V

2.7V @ 15V, 30A

-

有

2.1 nF @ 30 V

FS75R12N2T7B15BPSA2
FS75R12N2T7B15BPSA2
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2B

1.55V

75 A

Infineon Technologies

75 A

20V

1200 V

-

+ 175 C

- 40 C

15

FS75R12N2T7_B15 SP005612510

Infineon

Infineon Technologies

1200 V

Tray

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

全桥逆变器

-

20 mW

Standard

IGBT模块

14 μA

1200 V

1.8V @ 15V, 75A

75A

沟渠现场停车

有

15.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

VS-GT75YF120NT
VS-GT75YF120NT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

-

2.2 V

118 A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

118 A

1.2 kV

Details

Vishay Semiconductors

Vishay

螺钉安装

12

- 40 C

+ 150 C

431 W

- 20 V, + 20 V

Box

活跃

-40°C ~ 150°C (TJ)

Bulk

-

IGBTs

Si

全桥

431 W

Standard

IGBT晶体管

100 μA

1200 V

2.6V @ 15V, 75A

沟渠现场停车

有

IGBT晶体管

FP50R12W2T7PBPSA1
FP50R12W2T7PBPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-EASY2B

1.5 V

50 A

Infineon Technologies

50 A

20 V

20 mW

+ 175 C

- 40 C

18

PCB 安装

FP50R12W2T7P SP005630834

Infineon

Infineon Technologies

1200 V

Tape & Reel (TR)

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

Si

三相逆变器

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

5 μA

1200 V

1.6V @ 15V, 35A

沟渠现场停车

有

11.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FS150R12N3T4PB81BPSA1
FS150R12N3T4PB81BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Infineon Technologies

Tape & Reel (TR)

活跃

6

FS150R12N3T4P_B81 SP005428911

Infineon

Infineon Technologies

Tray

-

IGBTs

IGBT模块

IGBT模块

NXH450B100H4Q2F2PG
NXH450B100H4Q2F2PG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

56-PIM (93x47)

1.7V

101 A

onsemi

onsemi

1000 V

Tray

活跃

101 A

PIM

通孔

±20V

Q2BOOST - Case 180BG (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins)

1000 V

234 W

+ 150 C

- 40 C

12

onsemi

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

Si/SiC Hybrid Module

IGBTs

56

2 Independent

234W

234 W

Standard

IGBT模块

600 μA

1000 V

2.25V @ 15V, 150A

101A

-

有

9.342 nF @ 20 V

IGBT碳化硅模块

IGBT模块

NXH200B100H4F2SG
NXH200B100H4F2SG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

F2

1.8 V

100 A

onsemi

PIM56

20

onsemi

onsemi

93 W

+ 150 C

- 40 C

螺钉安装

1 kV

Tray

活跃

*

PMIC - Power Management ICs

开关控制器

IGBT硅模块

开关控制器

NXH50M65L4Q1SG
NXH50M65L4Q1SG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

56-PIM (93x47)

1.56 V

48 A

onsemi

21

onsemi

onsemi

Details

650 V

Tray

活跃

48 A

72 W

+ 150 C

- 40 C

175°C (TJ)

Tray

-

IGBTs

全桥

86 W

Standard

IGBT模块

300 μA

650 V

2.22V @ 15V, 50A

沟渠现场停车

有

3.137 nF @ 20 V

IGBT硅模块

IGBT模块

NXH450B100H4Q2F2SG
NXH450B100H4Q2F2SG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

56-PIM (93x47)

1.7V

101 A

onsemi

101 A

±20V

Q2BOOST - Case 180BR (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)

1000 V

234 W

+ 150 C

- 40 C

12

onsemi

onsemi

1000 V

Tray

活跃

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

IGBTs

2 Independent

234W

234 W

Standard

IGBT模块

600 μA

1000 V

2.25V @ 15V, 150A

101A

-

有

9.342 nF @ 20 V

IGBT碳化硅模块

IGBT模块

NXH300B100H4Q2F2PG
NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

27-PIM (71x37.4)

1.8V

73 A

onsemi

Tray

活跃

73 A

±20V

93x47 (PRESSFIT) (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins), Q2BOOST - PIM53

1000 V

194 W

+ 150 C

- 40 C

12

onsemi

onsemi

Details

1000 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

-

IGBTs

Dual, Common Source

194W

194 W

Standard

IGBT模块

800 μA

1118 V

2.25V @ 15V, 100A

73A

沟渠现场停车

有

6.323 nF @ 20 V

IGBT碳化硅模块

IGBT模块

P2000DL45X168APTHPSA1
P2000DL45X168APTHPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

DO-200AE

BG-P16826K-1

Infineon Technologies

Tray

活跃

2000 A

1

P2000DL45X168APT SP005742884

Infineon

Infineon Technologies

Details

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tray

-

IGBTs

Single

Standard

IGBT模块

200 μA

4500 V

2.5V @ 15V, 2000A

Trench

无

420 nF @ 25 V

IGBT模块

NXH50M65L4Q1PTG
NXH50M65L4Q1PTG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

53-PIM/Q2PACK (93x47)

onsemi

Tray

活跃

48 A

175°C (TJ)

-

全桥

86 W

Standard

300 μA

650 V

2.22V @ 15V, 50A

沟渠现场停车

有

3.137 nF @ 20 V

NXH400N100H4Q2F2PG
NXH400N100H4Q2F2PG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

42-PIM/Q2PACK (93x47)

1.77

409 A, 360 A

onsemi

409 A

±20V

93x47 (PRESSFIT) (Pb-Free/Halide-Free), PIM42

1000 V

959 W, 805 W

+ 150 C

- 40 C

12

onsemi

onsemi

1000 V

Tray

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

IGBTs

三级逆变器

959

959 W

Standard

IGBT模块

500 μA

1000 V

2.3V @ 15V, 400A

400

沟渠现场停车

有

26.093 nF @ 20 V

IGBT硅模块

IGBT模块

VS-ENZ025C60N
VS-ENZ025C60N
Vishay General Semiconductor - Diodes Division 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EMIPAK

104 W

N-Channel

+ 150 C

- 20 V, + 20 V

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

100

压装

Vishay

Vishay Semiconductors

71 mOhms

Details

111 ns

26 A

Box

活跃

600 V

600 V

83 ns

2.6 V

Bulk

*

PressFit Power Module

Discrete Semiconductor Modules

1-Phase Bridge

26 ns

Discrete Semiconductor Modules

Diode Power Modules

Discrete Semiconductor Modules

FS200R12N3T4RB81BPSA1
FS200R12N3T4RB81BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Infineon Technologies

Tray

活跃

10

Infineon

Infineon Technologies

Details

Tray

*

Infineon

NXH400N100H4Q2F2SG
NXH400N100H4Q2F2SG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

42-PIM/Q2PACK (93x47)

1.77V

409 A, 360 A

onsemi

409 A

±20V

93x47 (SOLDER PIN) (Pb-Free/Halide-Free), PIM44

1000 V

959 W, 805 W

+ 150 C

- 40 C

12

onsemi

onsemi

1000 V

Tray

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

IGBTs

三级逆变器

959W

959 W

Standard

IGBT模块

500 μA

1000 V

2.3V @ 15V, 400A

409A

沟渠现场停车

有

26.093 nF @ 20 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Infineon Technologies

Tape & Reel (TR)

活跃

18

FS13MR12W2M1HP_B11 SP005562247

Infineon

Infineon Technologies

Tray

-

IGBTs

IGBT模块

IGBT模块

DDB6U134N16RRB38BPSA1
DDB6U134N16RRB38BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2B

Infineon Technologies

70 A

500 W

+ 150 C

- 40 C

15

底座安装

DDB6U134N16RR_B38 SP005569287

Infineon

Infineon Technologies

35 A

Tape & Reel (TR)

活跃

150°C (TJ)

Tray

-

Discrete Semiconductor Modules

单斩波器

134 A

500 W

Standard

Discrete Semiconductor Modules

500 μA

1200 V

2.75V @ 15V, 70A

-

有

5.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

Discrete Semiconductor Modules

20.5 mm

107.5 mm

45 mm

NXH600A100H4F5SNG
NXH600A100H4F5SNG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

onsemi

Tray

活跃

8

onsemi

onsemi

*

onsemi

NXH240B120H3Q1PG
NXH240B120H3Q1PG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

32-PIM (71x37.4)

1.65

onsemi

活跃

68 A

21

onsemi

onsemi

Tray

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

Triple, Dual - Common Source

158

158 W

Standard

400 μA

1200 V

2V @ 15V, 80A

68

沟渠现场停车

有

18.151 nF @ 20 V

onsemi

FP100R12N3T4PB81BPSA1
FP100R12N3T4PB81BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Infineon Technologies

Tape & Reel (TR)

活跃

6

FP100R12N3T4P_B81 SP005351142

Infineon

Infineon Technologies

Tray

-

IGBTs

IGBT模块

IGBT模块

FP75R12N2T7B16BPSA1
FP75R12N2T7B16BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2B

Infineon Technologies

Tape & Reel (TR)

活跃

75 A

15

FP75R12N2T7_B16 SP005354118

Infineon

Infineon Technologies

Details

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

三相逆变器

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

14 μA

1200 V

1.55V @ 15V, 75A

沟渠现场停车

有

15.1 nF @ 25 V

IGBT模块

NXH200T120H3Q2F2SG
NXH200T120H3Q2F2SG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

56-PIM/Q2PACK (93x47)

1.86

onsemi

活跃

330 A

12

onsemi

onsemi

Tray

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

半桥

679

679 W

Standard

500 μA

1200 V

2.3V @ 15V, 200A

330

沟渠现场停车

无

35.615 nF @ 25 V

onsemi