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2SK2221-E备选型号: BUZ32

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 辐射硬化
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  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • Renesas Electronics America
    2SK2221-E
    Renesas Electronics America
    MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
    16 Weeks
    Copper, Tin
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    200V
    SINGLE
    8A
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    N-Channel
    SWITCHING
    600pF @ 10V
    ±20V
    8A
    20V
    8A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BUZ32
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    9.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    200V
    -
    9.5A
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    -
    530pF @ 25V
    ±20V
    9.5A
    20V
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SIPMOS®
    e3
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    75W
    400m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 1mA
    40ns
    30 ns
    TO-220AB
    0.4Ohm
    200V
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