STMicroelectronics IRF630FP

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

30W Tc

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

MESH OVERLAY™ II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

基本部件号

IRF6

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

30W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

9A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

漏源击穿电压

200V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅