Renesas Electronics America 2SK2221-E

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Copper, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

200V

端子位置

SINGLE

额定电流

8A

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600pF @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅