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首页 全部分类 2SK2221-E vs IRF630FP

2SK2221-E备选型号: IRF630FP

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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • Renesas Electronics America
    2SK2221-E
    Renesas Electronics America
    MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
    16 Weeks
    Copper, Tin
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    200V
    SINGLE
    8A
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    N-Channel
    SWITCHING
    600pF @ 10V
    ±20V
    8A
    20V
    8A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    IRF630FP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    9A Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    700pF @ 25V
    ±20V
    9A
    20V
    9A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    MESH OVERLAY™ II
    e3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    IRF6
    Single
    30W
    10 ns
    400m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    45nC @ 10V
    15ns
    TO-220AB
    0.4Ohm
    200V
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