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首页 全部分类 2SK2221-E vs IRF630

2SK2221-E备选型号: IRF630

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  • 电阻
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 反向恢复时间
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Renesas Electronics America
    2SK2221-E
    Renesas Electronics America
    MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
    16 Weeks
    Copper, Tin
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    200V
    SINGLE
    8A
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    N-Channel
    SWITCHING
    600pF @ 10V
    ±20V
    8A
    20V
    8A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    IRF630
    STMicroelectronics
    In a Tube of 50, IRF630 N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V STripFET, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    9A Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    200V
    -
    9A
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    700pF @ 25V
    ±20V
    9A
    20V
    9A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    4.535924g
    MESH OVERLAY™ II
    e3
    400mOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    IRF6
    2.54mm
    Single
    75W
    10 ns
    400m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    45nC @ 10V
    15ns
    170 ns
    3V
    TO-220AB
    200V
    200V
    3 V
    50 pF
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
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