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首页 全部分类 APT80GA60LD40 vs FGL60N100BNTD

APT80GA60LD40备选型号: FGL60N100BNTD

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  • IGBT类型
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  • 开关能量
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 极性
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT80GA60LD40
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-264
    33 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    10.6g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    625W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    143A
    22 ns
    52 ns
    2.5V @ 15V, 47A
    143A
    326 ns
    PT
    230nC
    240A
    23ns/158ns
    840μJ (on), 751μJ (off)
    5.21mm
    26.49mm
    20.5mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGL60N100BNTD
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    6.756g
    SILICON
    600V
    1.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2017
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    -
    180W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    电源控制
    -
    1kV
    60A
    1.2 μs
    460 ns
    2.9V @ 15V, 60A
    -
    760 ns
    NPT和沟槽
    275nC
    120A
    140ns/630ns
    -
    26mm
    20mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
    3
    8541.29.00.95
    1kV
    60A
    NPN
    180W
    320ns
    1000V
    1kV
    无SVHC
    无铅
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