APT80GA60LD40备选型号: IXXK100N60C3H1
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- 最大功率耗散
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
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- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
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- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 端子位置
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 资历状况
- 配置
- 功率耗散
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-26433 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA10.6gSILICON600V2V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 8™1999e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗625W3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V143A22 ns52 ns2.5V @ 15V, 47A143A326 nsPT230nC240A23ns/158ns840μJ (on), 751μJ (off)5.21mm26.49mm20.5mm无符合RoHS标准--------
- IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked20 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA Variation10.000011gSILICON600V2.2V-55°C~150°C TJTubeGenX3™, XPT™2005--活跃1 (Unlimited)3--雪崩 额定695W3R-PSFM-T3-COLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL2.2V170A140 ns95 ns2.2V @ 15V, 70A-220 nsPT150nC340A30ns/90ns2mJ (on), 950μJ (off)----ROHS3 CompliantSINGLEunknownIXX*N60不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE695W20V5.5V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGL60N100BNTD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins | 对比 | |
| SGL50N60RUFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 80A 250W TO264 | 对比 | |
![]() | IXXK100N60C3H1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA Variation | IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked | 对比 |




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