APT80GA60LD40备选型号: IXXK100N60C3H1

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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-264
    33 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    10.6g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    625W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    143A
    22 ns
    52 ns
    2.5V @ 15V, 47A
    143A
    326 ns
    PT
    230nC
    240A
    23ns/158ns
    840μJ (on), 751μJ (off)
    5.21mm
    26.49mm
    20.5mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA Variation
    10.000011g
    SILICON
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2005
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    雪崩 额定
    695W
    3
    R-PSFM-T3
    -
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    170A
    140 ns
    95 ns
    2.2V @ 15V, 70A
    -
    220 ns
    PT
    150nC
    340A
    30ns/90ns
    2mJ (on), 950μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SINGLE
    unknown
    IXX*N60
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    695W
    20V
    5.5V
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