APT80GP60B2G备选型号: SGL50N60RUFDTU
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
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- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) T-MAX10 Weeks通孔通孔TO-247-3 Variant3T-MAX™ [B2]100ATubePOWER MOS 7®活跃1 (Unlimited)150°C-55°C600V100ASingleStandard1041W600V100A600V2.7V @ 15V, 80APT无符合RoHS标准无铅---------------------------------
- IGBT 600V 80A 250W TO2645 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA3-600VTube-活跃1 (Unlimited)--100V40ASingleStandard-600V80A-2.8V @ 15V, 50A-无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)Tin6.756gSILICON2.2V-55°C~150°C TJ2013e3yes3EAR99LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING8541.29.00.95250W250W26 nsMOTOR CONTROLN-CHANNEL100ns119 ns80A329 ns145nC150A26ns/66ns1.68mJ (on), 1.03mJ (off)20V8V160ns26mm20mm5mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGL35N120FTDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 70A 368W TO264 | 对比 | |
| SGL50N60RUFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 80A 250W TO264 | 对比 | |
![]() | APT80GA60LD40 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |




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