Microsemi Corporation APT80GP60B2G
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APT80GP60B2G
1619-APT80GP60B2G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3 Variant
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
1最小包装量--
APT80GP60B2G详情
Microsemi Corporation APT80GP60B2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3 Variant
引脚数
3
供应商器件包装
T-MAX™ [B2]
Current-Collector (Ic) (Max)
100A
包装
Tube
系列
POWER MOS 7®
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
600V
额定电流
100A
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
1041W
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
100A
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 80A
IGBT类型
PT
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT80GP60B2G拓展信息
Microsemi Corporation
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