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首页 全部分类 APTM100H46FT3G vs BUT30V

APTM100H46FT3G备选型号: BUT30V

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  • 晶体管类型
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  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • VCEsat-最大值
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTM100H46FT3G
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 1KV 19A 20-Pin Case SP-3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    3
    4
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    POWER MOS 8™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    357W
    357W
    4 N-Channel (H-Bridge)
    552m Ω @ 16A, 10V
    5V @ 2.5mA
    6800pF @ 25V
    260nC @ 10V
    1000V 1kV
    19A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    -
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  • STMicroelectronics
    BUT30V
    STMicroelectronics
    TRANS NPN 125V 100A ISOTOP
    8 Weeks
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    200V
    150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    250W
    250W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Nickel
    SILICON
    700mV
    3
    125V
    UPPER
    UNSPECIFIED
    100A
    BUT30
    3
    R-XUFM-X3
    Single
    ISOLATED
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    125V
    100A
    27 @ 100A 5V
    900mV @ 10A, 100A
    200V
    7V
    0.9 V
    2200ns
    200ns
    9.1mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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