Microsemi Corporation APTM100H46FT3G

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

引脚数

3

Number of Elements

4

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

POWER MOS 8™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

357W

功率耗散

357W

场效应管类型

4 N-Channel (H-Bridge)

Rds On(Max)@Id,Vgs

552m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1000V 1kV

连续放电电流(ID)

19A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准