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首页 全部分类 APTM100H46FT3G vs FP15R12W1T4BOMA1

APTM100H46FT3G备选型号: FP15R12W1T4BOMA1

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  • 场效应管技术
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APTM100H46FT3G
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 1KV 19A 20-Pin Case SP-3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    3
    4
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    POWER MOS 8™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    357W
    357W
    4 N-Channel (H-Bridge)
    552m Ω @ 16A, 10V
    5V @ 2.5mA
    6800pF @ 25V
    260nC @ 10V
    1000V 1kV
    19A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FP15R12W1T4BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 28A 130W
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    23
    1.2kV
    -40°C~150°C
    -
    -
    2002
    活跃
    不适用
    EAR99
    130W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    1.85V
    no
    23
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    23
    不合格
    三相逆变器
    ISOLATED
    130W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    28A
    1mA
    1200V
    120 ns
    2.25V @ 15V, 15A
    495 ns
    沟渠现场停车
    有
    890pF @ 25V
    无SVHC
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