您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 APTM100H46FT3G vs FP30R06W1E3BOMA1

APTM100H46FT3G备选型号: FP30R06W1E3BOMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    APTM100H46FT3G
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 1KV 19A 20-Pin Case SP-3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    3
    4
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    POWER MOS 8™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    357W
    357W
    4 N-Channel (H-Bridge)
    552m Ω @ 16A, 10V
    5V @ 2.5mA
    6800pF @ 25V
    260nC @ 10V
    1000V 1kV
    19A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FP30R06W1E3BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 600V 37A 115W
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    23
    600V
    -40°C~150°C
    -
    -
    2002
    活跃
    不适用
    EAR99
    115W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    1.55V
    no
    23
    UPPER
    UNSPECIFIED
    23
    三相逆变器
    ISOLATED
    115W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    37A
    1mA
    42 ns
    2V @ 15V, 30A
    245 ns
    沟渠现场停车
    有
    1.65nF @ 25V
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FP15R12W1T4BOMA1 FP15R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT MOD 1200V 28A 130W 对比
BUT30V BUT30V STMicroelectronics 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 SOT-227-4, miniBLOC TRANS NPN 125V 100A ISOTOP 对比
FS25R12W1T4BOMA1 FS25R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT MOD 1200V 45A 205W 对比