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首页 全部分类 BF1214,115 vs BSD235NH6327XTSA1

BF1214,115备选型号: BSD235NH6327XTSA1

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  • 型号:
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  • 描述:
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 额定电流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 增益
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 噪声图
  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 系列
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BF1214,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH DUAL GATE 6V 6TSSOP
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.21.00.75
    30mA
    鸥翼
    260
    400MHz
    40
    6
    R-PDSO-G6
    不合格
    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
    DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
    18mA
    SWITCHING
    N-Channel Dual Gate
    31dB
    0.03A
    6V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.18W
    0.9dB
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD235NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    -
    0.95A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6
    -55°C~150°C TJ
    OptiMOS™
    yes
    雪崩 额定
    500mW
    BSD235
    AEC-Q101
    500mW
    3.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    350m Ω @ 950mA, 4.5V
    1.2V @ 1.6μA
    无卤素
    63pF @ 10V
    0.32nC @ 4.5V
    3.6ns
    950mA
    700mV
    12V
    20V
    0.35Ohm
    20V
    150°C
    逻辑电平门
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无
    无铅
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