BF1214,115备选型号: BSV236SPH6327XTSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 额定电流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 测试电流
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 增益
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 最大耗散功率(Abs)
- 噪声图
- 电压-测试
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 操作温度
- 系列
- 无铅代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 长度
- 宽度
- 无铅
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V 6TSSOP6-TSSOP, SC-88, SOT-363YESSILICON2Tape & Reel (TR)2007e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)8541.21.00.7530mA鸥翼260400MHz406R-PDSO-G6不合格COMMON SOURCE, 2 ELEMENTSDUAL GATE, ENHANCEMENT MODE18mASWITCHINGN-Channel Dual Gate31dB0.03A6VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR0.18W0.9dB5VROHS3 Compliant---------------------------
- Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SOT-363 T/R6-VSSOP, SC-88, SOT-363-SILICON1.5A TaTape & Reel (TR)2000e3活跃1 (Unlimited)6EAR99---1.5A鸥翼未说明-未说明---SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET----------ROHS3 Compliant10 WeeksTin表面贴装表面贴装6-55°C~150°C TJOptiMOS™yes雪崩 额定-20VDUAL560mWP-Channel175m Ω @ 1.5A, 4.5V1.2V @ 8μA无卤素228pF @ 15V5.7nC @ 4.5V8.5ns20V±12V1.5A12V-20V2mm1.25mm含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R | 对比 |
![]() | BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 | 对比 |
![]() | BSV236SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SOT-363 T/R | 对比 |




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