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BSP296NH6433XTMA1备选型号: BSP322PL6327HTSA1
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- 配置
- 通道数量
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- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
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- 供应商器件包装
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- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 下降时间（典型值）
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Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin SOT-223 T/R10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4250.212891mgSILICON1.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013yes活跃1 (Unlimited)4EAR99AVALANCHE RATED; LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL鸥翼未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFETDRAINN-Channel600m Ω @ 1.2A, 10V1.8V @ 100μA152.7pF @ 25V6.7nC @ 10V3.8ns100V±20V1.2A20V0.6OhmROHS3 Compliant---------- Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R--表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4--1A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2012-Obsolete1 (Unlimited)-----------P-Channel800mOhm @ 1A, 10V1V @ 380μA372pF @ 25V16.5nC @ 10V4.3ns100V±20V1A20V-符合RoHS标准PG-SOT223-4150°C-55°C1.8W4.6 ns8.3 ns372pF800 mΩ无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 | 对比 |
| BSP322PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
 | PMT200EN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 对比 |
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