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首页 全部分类 CPH3360-TL-W vs IRLML2803GTRPBF

CPH3360-TL-W备选型号: IRLML2803GTRPBF

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  • 阈值电压
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  • 无铅
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  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 极性/通道类型
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 电容-输入
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    CPH3360-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    unknown
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    4 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    303m Ω @ 800mA, 10V
    2.6V @ 1mA
    82pF @ 10V
    2.2nC @ 10V
    3.3ns
    30V
    ±20V
    5.4 ns
    1.6A
    -2.6V
    20V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon
    IRLML2803GTRPBF
    Infineon
    -
    -
    表面贴装
    -
    SOT-23
    3
    -
    1
    -
    -
    -
    e3
    -
    -
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.9 ns
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    4ns
    30V
    -
    1.7 ns
    1.2A
    -
    20V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    HIGH RELIABILITY
    8541.21.00.95
    Single
    540mW
    N-CHANNEL
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    250mOhm
    250 mΩ
    1 V
    85pF
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无
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