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首页 全部分类 CPH3360-TL-W vs IRLML2803TRPBF

CPH3360-TL-W备选型号: IRLML2803TRPBF

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  • Reach合规守则
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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 系列
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    CPH3360-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    unknown
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    4 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    303m Ω @ 800mA, 10V
    2.6V @ 1mA
    82pF @ 10V
    2.2nC @ 10V
    3.3ns
    30V
    ±20V
    5.4 ns
    1.6A
    -2.6V
    20V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2803TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    1.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 910mA, 10V
    1V @ 250μA
    85pF @ 25V
    5nC @ 10V
    4ns
    -
    ±20V
    1.7 ns
    1.2A
    1V
    20V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Micro3
    HEXFET®
    SMD/SMT
    EAR99
    250mOhm
    HIGH RELIABILITY
    30V
    1.2A
    1
    Single
    540mW
    30V
    30V
    150°C
    1 V
    30V
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无
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