CPH3360-TL-W备选型号: IRLML5103TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 制造商包装标识符
- 系列
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 最小击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH34 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON1.6A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2014e6yesObsolete1 (Unlimited)3DUAL鸥翼unknownSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET4 nsP-ChannelSWITCHING303m Ω @ 800mA, 10V2.6V @ 1mA82pF @ 10V2.2nC @ 10V3.3ns30V±20V5.4 ns1.6A-2.6V20V无SVHC符合RoHS标准无铅----------------------
- INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON760mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2004e3-活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼--增强型MOSFET10 nsP-ChannelSWITCHING600m Ω @ 600mA, 10V1V @ 250μA75pF @ 25V5.1nC @ 10V8.2ns-±20V16 ns-760mA-1V20V无SVHCROHS3 Compliant无铅Micro(SOT23)HEXFET®SMD/SMTEAR99600mOhmMatte Tin (Sn)逻辑电平兼容-30V260-610mA30不合格Single540mW0.76A-30V-30V-1 V30V1.016mm3.0226mm1.397mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML2803GTRPBF | Infineon | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23 | 对比 | ||
![]() | NDS352AP | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3 | 对比 |
![]() | IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 | 对比 |




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