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首页 全部分类 CSD23202W10T vs DMN1045UFR4-7

CSD23202W10T备选型号: DMN1045UFR4-7

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • Texas Instruments
    CSD23202W10T
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD23202W10TMOSFET Transistor, P Channel, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, DSBGA
    4
    SILICON
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    260
    未说明
    CSD23202
    1
    Single
    增强型MOSFET
    9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    53m Ω @ 500mA, 4.5V
    900mV @ 250μA
    512pF @ 6V
    3.8nC @ 4.5V
    4ns
    12V
    21 ns
    2.2A
    -600mV
    -6V
    -12V
    37 pF
    625μm
    0m
    0m
    650μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN1045UFR4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
    -
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e4
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 3.2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    375pF @ 10V
    4.8nC @ 4.5V
    -
    12V
    -
    3.2A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    2014
    EAR99
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    ±8V
    0.064Ohm
    12V
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