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首页 全部分类 CSD23202W10T vs FDN306P

CSD23202W10T备选型号: FDN306P

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  • 长度
  • 宽度
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  • 无铅
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  • 供应商器件包装
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  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD23202W10T
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD23202W10TMOSFET Transistor, P Channel, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, DSBGA
    4
    SILICON
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    260
    未说明
    CSD23202
    1
    Single
    增强型MOSFET
    9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    53m Ω @ 500mA, 4.5V
    900mV @ 250μA
    512pF @ 6V
    3.8nC @ 4.5V
    4ns
    12V
    21 ns
    2.2A
    -600mV
    -6V
    -12V
    37 pF
    625μm
    0m
    0m
    650μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN306P
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    11 ns
    P-Channel
    -
    40mOhm @ 2.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1138pF @ 6V
    17nC @ 4.5V
    10ns
    12V
    10 ns
    -2.6A
    -600mV
    8V
    -12V
    -
    940μm
    2.92mm
    1.4mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SuperSOT-3
    2001
    SMD/SMT
    40MOhm
    150°C
    -55°C
    -12V
    -2.6A
    12V
    26A
    500mW
    ±8V
    -12V
    1.138nF
    40mOhm
    40 mΩ
    -600 mV
    无
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