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首页 全部分类 CSD23202W10T vs MCH6336-TL-W

CSD23202W10T备选型号: MCH6336-TL-W

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  • 底架
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • Reach合规守则
  • Vgs（最大值）
  • Texas Instruments
    CSD23202W10T
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD23202W10TMOSFET Transistor, P Channel, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, DSBGA
    4
    SILICON
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    260
    未说明
    CSD23202
    1
    Single
    增强型MOSFET
    9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    53m Ω @ 500mA, 4.5V
    900mV @ 250μA
    512pF @ 6V
    3.8nC @ 4.5V
    4ns
    12V
    21 ns
    2.2A
    -600mV
    -6V
    -12V
    37 pF
    625μm
    0m
    0m
    650μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6336-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    -
    5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    7.4 ns
    P-Channel
    -
    43m Ω @ 3A, 4.5V
    1.4V @ 1mA
    660pF @ 6V
    6.9nC @ 4.5V
    57ns
    12V
    69 ns
    5A
    -
    10V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2012
    not_compliant
    ±10V
  • 添加型号
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