CSD86330Q3D备选型号: FDD6780
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 引脚数量
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入特性
- 接口IC类型
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 高边驱动器
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终端形式
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- TEXAS INSTRUMENTS CSD86330Q3D Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 A, 25 V, 4.6 ohm, 4.5 V, 1.4 VACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerLDFN815.8 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR996W260112V0.65mmCSD86330822VDual6W5.3 ns2 N-Channel (Half Bridge)9.6m Ω @ 14A, 8V2.1V @ 250μA920pF @ 12.5V6.2nC @ 4.5V25V20A1.4V8VSTANDARD基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器25V逻辑电平门NO1.4 V1.5mm3.3mm3.3mm1.5mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅---------------
- MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK---表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63316.5A Ta 30A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®--Obsolete1 (Unlimited)2EAR99-未说明------Single3.7W-N-Channel8.5m Ω @ 16.5A, 10V3V @ 250μA1590pF @ 13V29nC @ 10V-16.5A-20V--25V---------符合RoHS标准-SILICON2006鸥翼未说明R-PSSO-G2不合格增强型MOSFETDRAINSWITCHING5ns±20V3 ns48A0.0086Ohm24 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7580 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 25V 20A 7.5mOhm N-Ch PowerTrench | 对比 | |
![]() | FDD6780 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK | 对比 |
![]() | STK820 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | PolarPak® | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 10-Pin PolarPAK T/R | 对比 |





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