STMicroelectronics STK820
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STK820
2381-STK820
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
PolarPak®
大陆
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Trans MOSFET N-CH 25V 21A 10-Pin PolarPAK T/R
--最小包装量--
STK820详情
STMicroelectronics STK820重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
PolarPak®
引脚数
10
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
5.2W Ta
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
基本部件号
STK8
引脚数量
10
JESD-30代码
R-XDSO-N4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
5.2W
箱体转运
SOURCE
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.3m Ω @ 10.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1425pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.5nC @ 4.5V
上升时间
23ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
21A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏极-源极导通最大电阻
0.008Ohm
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
84A
雪崩能量等级(Eas)
600 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STK820拓展信息
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