您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CSD86330Q3D vs STK820

CSD86330Q3D备选型号: STK820

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入特性
  • 接口IC类型
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高边驱动器
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Texas Instruments
    CSD86330Q3D
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD86330Q3D Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 A, 25 V, 4.6 ohm, 4.5 V, 1.4 V
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    15.8 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    6W
    260
    1
    12V
    0.65mm
    CSD86330
    8
    22V
    Dual
    6W
    5.3 ns
    2 N-Channel (Half Bridge)
    9.6m Ω @ 14A, 8V
    2.1V @ 250μA
    920pF @ 12.5V
    6.2nC @ 4.5V
    25V
    20A
    1.4V
    8V
    STANDARD
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    25V
    逻辑电平门
    NO
    1.4 V
    1.5mm
    3.3mm
    3.3mm
    1.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STK820
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 25V 21A 10-Pin PolarPAK T/R
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    PolarPak®
    10
    21A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    STK8
    10
    -
    -
    5.2W
    -
    N-Channel
    7.3m Ω @ 10.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1425pF @ 25V
    9.5nC @ 4.5V
    -
    21A
    -
    16V
    -
    -
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    哑光锡
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    无铅
    R-XDSO-N4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    SWITCHING
    23ns
    ±16V
    4 ns
    0.008Ohm
    84A
    600 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDMS7580 FDMS7580 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET 25V 20A 7.5mOhm N-Ch PowerTrench 对比
FDD6780 FDD6780 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK 对比
STK820 STK820 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 PolarPak® Trans MOSFET N-CH 25V 21A 10-Pin PolarPAK T/R 对比