Texas Instruments CSD86330Q3D

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerLDFN

引脚数

8

Turn Off Delay Time

15.8 ns

Usage Level

Military grade

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

6W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

12V

端子间距

0.65mm

基本部件号

CSD86330

引脚数量

8

电源电压-最大值(Vsup)

22V

元素配置

Dual

功率耗散

6W

接通延迟时间

5.3 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.6m Ω @ 14A, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

920pF @ 12.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.2nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

25V

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

1.4V

栅极至源极电压(Vgs)

8V

输入特性

STANDARD

接口IC类型

基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器

漏源击穿电压

25V

场效应管特性

逻辑电平门

高边驱动器

NO

栅源电压

1.4 V

高度

1.5mm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

1.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅