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首页 全部分类 CSD86330Q3D vs FDMS7580

CSD86330Q3D备选型号: FDMS7580

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  • 功能数量
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  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入特性
  • 接口IC类型
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高边驱动器
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Texas Instruments
    CSD86330Q3D
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD86330Q3D Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 A, 25 V, 4.6 ohm, 4.5 V, 1.4 V
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    15.8 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    6W
    260
    1
    12V
    0.65mm
    CSD86330
    8
    22V
    Dual
    6W
    5.3 ns
    2 N-Channel (Half Bridge)
    9.6m Ω @ 14A, 8V
    2.1V @ 250μA
    920pF @ 12.5V
    6.2nC @ 4.5V
    25V
    20A
    1.4V
    8V
    STANDARD
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    25V
    逻辑电平门
    NO
    1.4 V
    1.5mm
    3.3mm
    3.3mm
    1.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7580
    ON Semiconductor
    MOSFET 25V 20A 7.5mOhm N-Ch PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    15A Ta 29A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    59W
    7.3 ns
    N-Channel
    7.5m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    1190pF @ 13V
    20nC @ 10V
    -
    15A
    1.6V
    20V
    -
    -
    25V
    -
    -
    1.6 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    68.1mg
    SILICON
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    6.8ns
    ±20V
    4.5 ns
    49A
    0.0075Ohm
    60A
    32 mJ
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