CSD87588N备选型号: IRF7805ZTRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 模拟 IC - 其他类型
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 控制技术
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- Vgs(最大值)
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTABACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 WeeksGold表面贴装表面贴装5-XFLGA525A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e4yes活跃1 (Unlimited)EAR996WBOTTOM无铅2601未说明CSD87588开关稳压器Dual2 N-Channel (Half Bridge)9.6m Ω @ 15A, 10V1.9V @ 250μA脉宽调制736pF @ 15V4.1nC @ 4.5V36.7ns6.3 ns15A20V30V逻辑电平门5mm0.4mm2.5mm400μmROHS3 Compliant无铅------------------
- MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC-12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)816A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®--活跃1 (Unlimited)EAR99-DUAL鸥翼------N-Channel6.8m Ω @ 16A, 10V2.25V @ 250μA-2080pF @ 15V27nC @ 4.5V10ns3.7 ns16A20V30V-4.9784mm-3.9878mm-ROHS3 Compliant无铅SILICON200586.8MOhm30V16ASINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.5W11 ns±20VMS-012AA120A72 mJ2.25 V1.4986mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTTFS4821NTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN | 对比 | |
| FDMC7208S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerWDFN | MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 | |
![]() | IRF7805ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | 对比 |




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