CSD87588N备选型号: NTTFS4821NTAG

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 模拟 IC - 其他类型
  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 控制技术
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Vgs(最大值)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    5-XFLGA
    5
    25A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    6W
    BOTTOM
    无铅
    260
    1
    未说明
    CSD87588
    开关稳压器
    Dual
    2 N-Channel (Half Bridge)
    9.6m Ω @ 15A, 10V
    1.9V @ 250μA
    脉宽调制
    736pF @ 15V
    4.1nC @ 4.5V
    36.7ns
    6.3 ns
    15A
    20V
    30V
    逻辑电平门
    5mm
    0.4mm
    2.5mm
    400μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN
    ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    7.5A Ta 57A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    7m Ω @ 20A, 10V
    2.5V @ 250μA
    -
    1755pF @ 12V
    24nC @ 11.5V
    22ns
    4.5 ns
    18.6A
    20V
    30V
    -
    3.15mm
    -
    3.15mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    2009
    5
    Tin (Sn)
    8
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    4.1W
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    ±20V
    57A
    55 mJ
    750μm
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