Texas Instruments CSD87588N
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CSD87588N
2502-CSD87588N
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
5-XFLGA
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MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
--最小包装量--
CSD87588N详情
Texas Instruments CSD87588N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
5-XFLGA
引脚数
5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
25A
Turn Off Delay Time
20.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
6W
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
CSD87588
模拟 IC - 其他类型
开关稳压器
元素配置
Dual
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.6m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.9V @ 250μA
控制技术
脉宽调制
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
736pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.1nC @ 4.5V
上升时间
36.7ns
下降时间(典型值)
6.3 ns
连续放电电流(ID)
15A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
逻辑电平门
长度
5mm
座位高度(最大)
0.4mm
宽度
2.5mm
器件厚度
400μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CSD87588N拓展信息
Texas Instruments
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