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首页 全部分类 DMHC3025LSD-13 vs IRF7379TRPBF

DMHC3025LSD-13备选型号: IRF7379TRPBF

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  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 系列
  • 端子表面处理
  • 额定电流
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMHC3025LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
    18 Weeks
    Tin
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    73.992255mg
    SILICON
    6A 4.2A
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    1.5W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    DMHC3025LSD
    AEC-Q101
    增强型MOSFET
    1.5W
    7.5 ns
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    25m Ω @ 5A, 10V
    2V @ 250μA
    590pF @ 15V
    11.7nC @ 10V
    4.9ns
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    13.5 ns
    4.2A
    2V
    20V
    6A
    0.025Ohm
    -30V
    60A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.7mm
    4.95mm
    3.95mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7379TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    12 Weeks
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    SILICON
    5.8A 4.3A
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    2004
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    2.5W
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    IRF7379PBF
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 5.8A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 25V
    25nC @ 10V
    -
    -
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    -
    5.8A
    -
    20V
    -
    0.045Ohm
    30V
    46A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    Standard
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    HEXFET®
    Matte Tin (Sn)
    5.8A
    无
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