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EFC4621R-TR备选型号: DMN2014LHAB-7
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- 无卤素
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- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIESACTIVE (Last Updated: 6 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装4-XFBGA, FCBGA426 μs150°C TJTape & Reel (TR)2016yes活跃1 (Unlimited)EAR991.6W2Dual340 ns2 N-Channel (Dual)无卤素29nC @ 4.5V600ns24V28 μs9A12.5V9AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 2.5V Drive18mOhm无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN-14 Weeks表面贴装表面贴装6-UFDFN Exposed Pad79A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015-活跃1 (Unlimited)EAR99800mW--6.9 ns2 N-Channel (Dual) Common Drain-16nC @ 4.5V15.5ns20V12 ns9.3A12V--逻辑电平门--ROHS3 Compliant-e4Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)2603013m Ω @ 4A, 4.5V1.1V @ 250μA1550pF @ 10V600μm3.05mm2.05mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN | 对比 |
 | DMP2018LFK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-PowerUDFN | MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN | 对比 |
 | EFC6605R-TR | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-SMD, No Lead | MOSFET NCH NCH 10A 24V 2.5V DRIV | 对比 |
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