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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.631558
10
¥3.425998
100
¥3.232074
500
¥3.049127
1000
¥2.876534
ON Semiconductor EFC4621R-TR
- 收藏
- 对比
EFC4621R-TR
1807-EFC4621R-TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
4-XFBGA, FCBGA
大陆
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MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
--最小包装量--
¥
总价: ¥
EFC4621R-TR详情
ON Semiconductor EFC4621R-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-XFBGA, FCBGA
引脚数
4
Turn Off Delay Time
26 μs
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.6W
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
340 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
无卤素
无卤素
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 4.5V
上升时间
600ns
漏源电压 (Vdss)
24V
下降时间(典型值)
28 μs
连续放电电流(ID)
9A
栅极至源极电压(Vgs)
12.5V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源电阻
18mOhm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
EFC4621R-TR拓展信息










哦! 它是空的。