EFC4621R-TR备选型号: DMP2018LFK-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- Vgs(最大值)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIESACTIVE (Last Updated: 6 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装4-XFBGA, FCBGA426 μs150°C TJTape & Reel (TR)2016yes活跃1 (Unlimited)EAR991.6W2Dual340 ns2 N-Channel (Dual)无卤素29nC @ 4.5V600ns24V28 μs9A12.5V9AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 2.5V Drive18mOhm无ROHS3 Compliant无铅-----------------------
- MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN-14 Weeks表面贴装表面贴装6-PowerUDFN69.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012yes活跃1 (Unlimited)EAR99-1Single22.8 nsP-Channel-113nC @ 10V29.8ns-100.6 ns9.2A12V----无ROHS3 Compliant无铅SILICONe44Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITYDUAL260406R-PDSO-N4增强型MOSFETDRAINSWITCHING16m Ω @ 3.6A, 4.5V1.2V @ 200μA4748pF @ 10V±12V20V90A580μm2.55mm2.35mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN | 对比 |
![]() | DMP2018LFK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerUDFN | MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN | 对比 |
| EFC6605R-TR | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-SMD, No Lead | MOSFET NCH NCH 10A 24V 2.5V DRIV | 对比 |





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