EFC4621R-TR备选型号: DMP2018LFK-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 无卤素
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs(最大值)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-XFBGA, FCBGA
    4
    26 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.6W
    2
    Dual
    340 ns
    2 N-Channel (Dual)
    无卤素
    29nC @ 4.5V
    600ns
    24V
    28 μs
    9A
    12.5V
    9A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    18mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
    -
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerUDFN
    6
    9.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    1
    Single
    22.8 ns
    P-Channel
    -
    113nC @ 10V
    29.8ns
    -
    100.6 ns
    9.2A
    12V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e4
    4
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    6
    R-PDSO-N4
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    16m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1.2V @ 200μA
    4748pF @ 10V
    ±12V
    20V
    90A
    580μm
    2.55mm
    2.35mm
    无SVHC
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