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首页 全部分类 FDMA2002NZ vs IRLML6346TRPBF

FDMA2002NZ备选型号: IRLML6346TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 已出版
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  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 通道数量
  • Vgs（最大值）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDMA2002NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    40mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    123MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    30V
    650mW
    2.9A
    Dual
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    123m Ω @ 2.9A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    220pF @ 15V
    3nC @ 4.5V
    8ns
    8 ns
    2.9A
    1V
    12V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    30 pF
    850μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML6346TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    3.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    80MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    -
    3.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    63m Ω @ 3.4A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    270pF @ 24V
    2.9nC @ 4.5V
    4ns
    4.9 ns
    3.4A
    800mV
    12V
    30V
    -
    150°C
    -
    -
    1.12mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Micro3
    2012
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    不合格
    1
    ±12V
    13 ns
    800 mV
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