FDMA2002NZ
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ON Semiconductor FDMA2002NZ

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型号

FDMA2002NZ

utmel 编号

1807-FDMA2002NZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-VDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET

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FDMA2002NZ
FDMA2002NZ ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET

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FDMA2002NZ详情

ON Semiconductor FDMA2002NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-VDFN Exposed Pad

  • 引脚数

    6

  • 质量

    40mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    12 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    123MOhm

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 最大功率耗散

    650mW

  • 额定电流

    2.9A

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.5W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    6 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    123m Ω @ 2.9A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    220pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3nC @ 4.5V

  • 上升时间

    8ns

  • 下降时间(典型值)

    8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2.9A

  • 阈值电压

    1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    30 pF

  • 高度

    850μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    2mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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