FDMS8558SDC备选型号: IRFH5301TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 输入电容
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 系列
- 已出版
- 电阻
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 栅源电压
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8558SDC MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 VLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)表面贴装890mg1Tape & Reel (TR)e3yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)150°C-55°C89WDUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET41WDRAIN14 nsSWITCHING8ns25VN-CHANNEL7 ns90A1.4VMO-240AA12V25V140A5.118nF145 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR5.7mOhm1.5 mΩ1.05mm5.1mm5.85mm无SVHC无符合RoHS标准无铅---------------
- INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew-表面贴装8-35A Ta 100A TcTape & Reel (TR)--活跃1 (Unlimited)---150°C-55°C------110W-21 ns-78ns30V-23 ns100A1.8V-20V30V-5.114nF--1.55mOhm1.85 mΩ850μm6mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅12 Weeks表面贴装8-PowerVDFNPQFN (5x6) Single Die-55°C~150°C TJHEXFET®20091.85MOhmN-Channel1.85mOhm @ 50A, 10V2.35V @ 100μA5114pF @ 15V77nC @ 10V±20V1.8 V
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 100A PQFN | 对比 |
![]() | IRFH7932TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 | 对比 |
![]() | IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |




哦! 它是空的。