FDMS8558SDC备选型号: IRFH5301TRPBF

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 引脚数
  • 质量
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • 电阻
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8558SDC MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 V
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    8
    90mg
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    89W
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    41W
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    8ns
    25V
    N-CHANNEL
    7 ns
    90A
    1.4V
    MO-240AA
    12V
    25V
    140A
    5.118nF
    145 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    5.7mOhm
    1.5 mΩ
    1.05mm
    5.1mm
    5.85mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
    -
    表面贴装
    8
    -
    35A Ta 100A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    110W
    -
    21 ns
    -
    78ns
    30V
    -
    23 ns
    100A
    1.8V
    -
    20V
    30V
    -
    5.114nF
    -
    -
    1.55mOhm
    1.85 mΩ
    850μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    PQFN (5x6) Single Die
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    2009
    1.85MOhm
    N-Channel
    1.85mOhm @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5114pF @ 15V
    77nC @ 10V
    ±20V
    1.8 V
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