您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMS8558SDC vs IRFH8202TRPBF

FDMS8558SDC备选型号: IRFH8202TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 引脚数
  • 质量
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 通道数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • ON Semiconductor
    FDMS8558SDC
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8558SDC MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 V
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    8
    90mg
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    89W
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    41W
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    8ns
    25V
    N-CHANNEL
    7 ns
    90A
    1.4V
    MO-240AA
    12V
    25V
    140A
    5.118nF
    145 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    5.7mOhm
    1.5 mΩ
    1.05mm
    5.1mm
    5.85mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8202TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
    -
    表面贴装
    8
    -
    47A Ta 100A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.6W
    -
    28 ns
    -
    46ns
    -
    -
    19 ns
    100A
    1.8V
    -
    20V
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    未说明
    未说明
    Single
    1
    N-Channel
    1.05m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 150μA
    7174pF @ 13V
    110nC @ 10V
    ±20V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH8202TRPBF IRFH8202TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 100A PQFN 对比
IRFH7932TR2PBF IRFH7932TR2PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 对比
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew 对比