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首页 全部分类 FDS9945 vs DMN6070SSD-13

FDS9945备选型号: DMN6070SSD-13

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDS9945
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO
    ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)
    21 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    100MOhm
    60V
    2W
    鸥翼
    3.5A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    7 ns
    1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 3.5A, 10V
    3V @ 250μA
    420pF @ 30V
    13nC @ 5V
    4.3ns
    3 ns
    3.5A
    2.5V
    20V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.5 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN6070SSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
    -
    23 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2011
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    1.5W
    鸥翼
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    1.5W
    3.5 ns
    1.2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    80m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    588pF @ 30V
    12.3nC @ 10V
    4.1ns
    11 ns
    3.3A
    -
    20V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    260
    30
    AEC-Q101
    2
    60V
    5.9 mJ
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